霍尔效应于1879年由EdwinHerbertHall发现，他观察到一种作用于穿过磁通密度的运动电荷的力，当一个控制电流穿过该磁场时，载流子由于受到外加磁通密度所产生的洛仑兹力的影响，其轨迹发生偏移，这种偏移导致更多的载流子在导体的一端聚集，从而在导体两端形成一个电势差，这就是霍尔电压，霍尔效应的某些原理与温度相关，这就意味着，霍尔效应电流传感器必须包括或提供某种形式的温度补偿，而这会导致传感器体积和成本的增加，霍尔效应*简单实用的应用是开环传感器，它提供了体积*小，质量*轻，成本*低的电流测量解决方案，同时功耗也非常低，开环传感器可以测量直流，交流和复杂电流波形，同时还提供电流隔离，不过，开环传感器有一定局限性，例如磁路中的磁损耗导致的响应时间长及带宽不足，与温度相关的增益漂移相对较大。

　　相比之下，闭环传感器，电流传感器也叫霍尔效应补偿式或“零磁通式”传感器，它利用霍尔元件电压在次级线圈中产生一个补偿电流，从而使总磁通量等于零，在零磁通量条件下运行霍尔元件消除随温度变化的增益漂移，这种结构还有一种显著的优势，可以扩大传感器带宽，缩短响应时间，不过，其主要不足是次级电源的电流消耗高，因为它必须提供补偿电流和偏置电流。

　　正因为它的局限性，导致霍尔效应电流传感器不再适用一些领域，尤其是MRI扫描领域，而LEM推出的解决方案主要针对这个应用领域，与霍尔效应技术相当，但是具备明显优势，它是一种双轴磁通门闭环传感器，也就是知名的HPCT，由于磁通门技术已经普及了一段时间，所以LEM可以采用这种技术并加以改良，*终研发的传感器精度非常高，温度失调漂移非常低，时间稳定性非常高，优良的线性度，超低的输出噪声提高了HPCT的精度和分辨率，而超大测量带宽（直流到200kHz，-3dB）确保了该电流传感器 传感器广泛的应用领域。

　　对于较高频率范围，次级电流由两个次级线圈（Ws1和Ws2）之间产生的变压器效应产生，对于较低频率范围（包括直流），传感器起闭环磁通门传感器的作用，此时绕组Ws3和Ws4用作磁通门感应线圈，除了用于**控制医学成像系统的梯度放大器上电流以外，HPCT同样适用于其他需要高精度测量的场合，如**电流调节电源内的反馈测量，试验台电源分析校准设备及实验室及计量仪器的电流测量。

　　霍尔效应传感器的精度。

　　霍尔效应传感器的精度取决于标准额定电流IPN，在+25℃时，传感器测量精度受原边电流影响的曲线，使用下面公式可计算出精度：。

　　(3)。

　　其中，K=NS/NP。

　　计算精度时必须考虑偏移电流，线性度，温度漂移的影响。

　　(1).偏移电流ISO。

　　偏移电流也叫残余电流或剩余电流，它主要是由霍尔元件或电子电路中运算放大器工作状态电流传感器不稳造成的，电流传感器在生产时，在25℃，IP=0时的情况下，偏移电流已调至*小，但传感器在离开生产线时，都会产生一定大小的偏移电流，产品技术文档中提到的精度已考虑了偏移电流增加的影响。

　　(2).线性度。

　　线性度决定了传感器输出信号（副边电流IS）与输入信号（原边电流IP）在测量范围内成正比的程度，ABB公司的电流传感器线性度要优于0.1%。

　　(3).温度漂移。

　　偏移电流ISO是在25℃时计算出来的，当霍尔电极周边环境温度变化时，ISO会产生变化，因此，考虑偏移电流ISO的*大变化是很重要的，这可以通过下式计算：。

　　(4)其中，CV（Cataloguevalue）是指电流传感器性能表中的温度漂移值，例如：对CS2000BR型来说，CV为0.5×10-4/℃，*大温度Tmax为-40℃，额定输出电流为400mA，则偏移电流的*大变化为：Ma。