霍尔传感器基于霍尔效应，他是霍尔技术应用的理论基础，当通有小电流的半导体薄片置于磁场中时（如图1），半导体内的载流子受洛伦兹力的作用发生偏转，使半导体两侧产生电势差，该电势差即为霍尔电压V_H，V_H与磁感应强度B及控制电流I_C成正比，经过理论推算有式（1）关系。

    V_H=（R_H/d）×B×I_C（1）

式中：B为磁感应强度；

      I_C为控制电流；

      R_H为霍尔系数；

      d为半导体厚度。

    式（1）中，若保持控制电流I_C不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系。根据这一关系式，人们研制出了用于测量磁场的半导体器件，即霍尔器件。

图1    霍尔效应原理

按被检测对象的性质可将它们的应用分为：直接应用和间接应用。前者是直接检测受检对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，这个磁场是被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量，例如速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电学量来进行检测和控制。