霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成，对安培定律加以应用，即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这一磁场，因此，使电流的非接触测量成为可能。

　　霍尔电流传感器可分为直检式和闭环式霍尔电流传感器。

　　霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同，当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电压差。

　　霍尔电流传感器是利用霍尔效应将一次大电流变换为二次微小电压信号的传感霍尔电流传感器器，实际设计的霍尔传感器往往通过运算放大器等电路，将微弱的电压信号放大为标准电压或电流信号，上述原理制作而成的霍尔电流传感器，被称为直检式霍尔电流传感器或开环式霍尔电流传感器。

　　闭环式霍尔电流传感器，也称零磁通霍尔电流传感器或磁平衡式霍尔电流传感器，是基于磁平衡式霍尔原理，即闭环原理，当原边电流IP产生的磁通通过高品质磁芯集中在磁路中，霍尔元件固定在气隙中检测磁通，通过绕在磁芯上的多匝线圈输出反向的补偿电流，用于抵消原边IP产生的磁通，使得磁路中磁通始终保持为零，经过特殊电路的处理，霍尔电流传感器传感器的输出端能够输出精确反映原边电流的电流变化。

　　电流传感器的过载能力是指发生电流过载时，在测量范围之外，原边电流仍会增加，而且过载电流的持续时间可能很短，而过载值有可能超过传感器的允许值，过载电流值传感器一般测量不出来，但不会对传感器造成损坏。

　　霍尔效应传感器的精度取决于标准额定电流IPN，在+25℃时，传感器测量精度与原边电流有一定影响，同时评定传感器精度时还必须考虑偏移电流，线性度，温度漂移的影响。

　　霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁场强度为B的磁场，那么在霍尔电流传感器垂直于电流和磁场方向（即霍尔输出端之间），将产生一个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流I，与磁场强度B的乘积。

　　霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件，如果在输入端通入控制电流IC，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。

　　霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成，对安培定律加以应用，即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这一磁场，因此，使电流的非接触测量成为可能，通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小，因此，电流传感器经过了电－磁－电的绝缘隔离转换。

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