磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片,在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号,若使霍尔集成电路起传感霍尔电流传感器作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。
用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失,这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器,霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低霍尔电流传感器的运转情况。
除了安装接线,即时标定校准,注意传感器的工作环境外,通过下述方法还可以提高测量精度:。
1,原边导线应放置于传感器内孔中心,尽可能不要放偏。
2,原边导线尽可能完全放满传感器内孔,不要留有空隙。
3,需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN,不要相差太大,如条件所限,手头仅有一个额定值很高的传感器,而欲测量的电流值又低于额定值很多,霍尔电流传感器为了提高测量精度,可以把原边导线多绕几圈,使之接近额定值,例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时,为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕十圈(一般情况,NP=1,在内孔中绕一圈,NP=2,……,绕九圈,NP=10,则NP×10A=100A与传感器的额定值相等,从而可提高精度)。
4,当欲测量的电流值为IPN/10的整数倍时,在25℃仍然可以有较高的精度。
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